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MOCVDIII-V半導體材料與器件研究組招聘啟事
招聘崗位:博士后(2名)
崗位描述:III-V族化合物半導體材料生長(cháng)和光電子器件研制
應聘條件:(1)理學(xué)或工學(xué)博士畢業(yè);(2)具有半導體物理、材料物理、半導體光電子器件、導波光學(xué)或衍射光學(xué)背景;(3)對研究有熱情,了解相關(guān)領(lǐng)域國內外最新進(jìn)展,動(dòng)手能力強,有較強的英語(yǔ)閱讀和寫(xiě)作能力,在前期學(xué)習/工作過(guò)程中做出同行認可的成績(jì);(4)具有較強的團隊合作意識、責任心和開(kāi)展科研工作的能力,有意從事III-V化合物半導體異質(zhì)襯底材料外延或者半導體光電子器件研制工作;(5)具有化合物半導體MOCVD材料生長(cháng)、材料表征分析、光電子器件研制、集成光路設計經(jīng)驗者將優(yōu)先考慮。
崗位待遇:工資及福利待遇按中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所和國家有關(guān)規定執行。
應聘方式:
1、應聘者需提交申請表及個(gè)人詳細履歷,并附上三名推薦人的聯(lián)系方式;
2、初選合格者將電話(huà)或E-mail通知本人參加面試;
3、參加面試初審者需提供:學(xué)歷、學(xué)位證書(shū)復印件以及相關(guān)資料,至少一份推薦信;
4、通過(guò)面試者到指定醫院進(jìn)行體檢,體檢合格者將被錄用。
聯(lián)系人:張瑞英, 董建榮
電話(huà):0512-62872560, 0512-62872649
E-mail:ryzhang2008@sinano.ac.cn, jrdong2007@sinano.ac.cn
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